邵嘉平博士最后還表示，千萬不要以為他們是拍腦袋的靈感做出了很牛逼的事情。事實是，他們一根筋地堅持做研究(以十?dāng)?shù)年計算)，本身就很聰明，加上運(yùn)氣好，才有的收獲。

        10月7日，諾貝爾物理學(xué)獎得主的消息一經(jīng)公布，整個LED業(yè)界頓時沸揚(yáng)。因發(fā)明“高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管”，赤崎勇(IsamuAkasaki)、天野浩(HiroshiAmano)和中村修二(ShujiNakamur)獲得2014年諾貝爾物理學(xué)獎。

        可見LED在當(dāng)今世界發(fā)展進(jìn)程中，有著非同凡響的意義，并且未來也將會對人類產(chǎn)生深遠(yuǎn)而又巨大的影響。

        值得一提的是，中村修二于2012年參加了全球LED年度盛會“新世紀(jì)LED高峰論壇”，并發(fā)表了前瞻性演講，為LED產(chǎn)業(yè)提供新的指導(dǎo)和參考。

        那么，三位諾貝爾物理學(xué)獎得主具體的開創(chuàng)性工作是什么?

        據(jù)業(yè)內(nèi)資深專家，科銳中國區(qū)總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)邵嘉平博士介紹，大約上世紀(jì)80年代初中期，基于磷化物，砷化物的紅綠紅黃等發(fā)光二極管LED差不多搞定了(當(dāng)然高亮的AlGaInP四元紅黃光要HP惠普科學(xué)家在80年代末才最終搞定)，但藍(lán)光一直沒搞定，有做II/VI族的也有III/V族的，氮化鎵GaN最大的問題是缺乏同質(zhì)襯底，不像GaAs,InP做近紅外紅外那樣容易做，又是寬禁帶，需要更高溫度合成(熱場條件更苛刻)，外延材料的缺陷密度高，空穴摻雜濃度低(形成絡(luò)合物摻雜被鈍化了)等一系列問題。大多數(shù)歐美科學(xué)家搞化合物半導(dǎo)體研究的做半導(dǎo)體激光器發(fā)光二極管的，都嘗試過，多數(shù)均放棄。

        這上面三位，前兩者在名古屋大學(xué)，中村在日亞，堅持不懈搞，比較一根筋，最起勁用MOCVD搞氮化物外延的主，此前主要是MBE分子束外延，MBE搞出來的缺陷密度要低，但做電子器件行，光電子器件/LED不行。他們動了很多邪乎的招，譬如低能電子束掃描退火LEEB,lowenergyelectronbeam氧氣中快速熱退火RTA,rapidthermalannealing(要知道此前的所有半導(dǎo)體材料硅鍺砷化鎵磷化銦都最怕氧氣，一般是在惰性氣體中退火)。

        當(dāng)然，赤琦勇最開創(chuàng)性地還在于在藍(lán)寶石Sapphire襯底上的低溫緩沖層技術(shù)LTBufferLayer靠三維島狀結(jié)晶來釋放藍(lán)寶石三角晶系和上面六方相氮化鎵材料間的失配，最后獲得高品質(zhì)的藍(lán)綠光發(fā)光材料。

        比之前兩位，中村的工藝水平更高，1cd量級的高亮度藍(lán)光和白光LED是他最早搞出來并且量產(chǎn)，同時，藍(lán)綠光激光器他也是先驅(qū)。